英飞凌推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET， 以更高的功率密度和功率建立职业新标准

  英飞凌全新CoolSiC™ MOSFET 750 V G1产品系列推动轿车和工业解决计划的开展

  Vishay新款80V对称双通道 MOSFET的RDS(ON) 达抢先水平，进步功率密度、能效和热功能

  英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V， 在不影响体系可靠性的情况下供给更高功率密度

  意法半导体发布了新系列100V沟槽肖特基整流二极管以进步功率和功率密度

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  ACM6252 单相正弦波/方波（BLDC）直流无刷电机驱动IC解决计划

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  英飞凌推出PQFN 封装、双面散热、25-150V OptiMOS™源极底置功率MOSFET

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